Sininen valon puolijohdelaserrakenne ja työperiaate

Aktiivisesta alueen materiaalista riippuen sinisen valon puolijohdelaserin puolijohdemateriaalin nauhan leveys vaihtelee, joten puolijohdelaser voi lähettää eri värien valoa. Sinisen valon puolijohdelaserin aktiivinen alueen materiaali on Gan tai Ingan. Tyypillisen GaN-pohjaisen laserin rakenne on esitetty kuvassa 1. Alhaalta yläosaan Z-suuntaan, se on N-elektrodi, GaN-substraatti, N-tyyppinen A1gan-alempi sulkemiskerros, N-tyyppinen hgan-alempi aaltojohtokerros, monimuotoinen kaivo (MQW) aktiivinen alue, epätasaisesti Doped Hgan-aalto-aaltokerros, P-tyyppinen sähköinen (EBL), P-TYPE-LEPE-LEPE-LOPEA (P-TEBLE), P-TYPE-LEPE-LEPE-LAPEEN SEPORON-ALEERI-AALLINEN TYÖPAIKKA. P-tyypin A1gan-ylempi sulkemiskerros, P-tyypin GaN-kerros ja p-elektrodi

Monimuotoisen hyvin aktiivisen alueen (MQWS) materiaalinen taitekerroin on korkein, ja materiaalien taitekerroin aktiivisen alueen molemmilla puolilla on vähenevä suuntaus. Materiaalin taitekerroksen jakautumisen kautta Z -suunnassa, jossa on korkea keskeinen ja matala ylä- ja alapuolella, z -suunnassa oleva valokenttä voidaan rajoittaa ylemmän ja alemman aaltojohtokerroksen väliin. Y-suuntaan osa P-tyyppisestä kerroksesta laserin molemmilla puolilla poistetaan etsaamalla, ja talletetaan ohut piitidioksidikerros (SIO2), mikä lopulta muodostaa harjanteen rakenteen. Pihidioksidin ja ilman taitekerroin on pienempi kuin P-tyypin kerroksen, joten Y-suunnassa oleva taitekerroin on korkea ja matala molemmin puolin, ja valokenttä rajoittuu harjanteen keskiosaan. YZ -tason valokenttään YZ -tason valokentällä on elliptinen jakauma. X -suunnassa etu- ja takaosan onkalon pinnat voidaan muodostaa mekaanisella pilkkomisella tai syövytyksellä, ja etu- ja takaosan onkalonpintojen heijastavuus voidaan säätää haihduttamalla dielektrinen kalvo. Yleensä onkalon pinnan heijastavuus on pienempi kuin takaosan pinnan pinta, jotta varmistetaan, että laser pääsee onkalon pinnalta.