915 nm:n 12 W Chip Submount COS Laser Diodessa, joka käyttää AuSn-sidontaa ja P Down -pakettia, jolla on useita etuja, kuten korkea luotettavuus, vakaa lähtöteho, suuri teho, korkea hyötysuhde, pitkä käyttöikä ja korkea yhteensopivuus, ja niitä käytetään laajasti markkinoilla.
785 nm:n 2W jäähdyttämätöntä monimuotolaserdiodimoduulia käytetään laajalti laboratoriotutkimuksessa, laserpumppauksessa, lääketieteellisessä, painatuksessa ja materiaalinkäsittelyssä.
1270nm DFB 10mW Butterfly-laserdiodi on valmistettu hermeettisesti suljetussa 14-nastaisessa perhospakkauksessa. Laserdiodit sisältävät lämpösähköisen jäähdyttimen (TEC), termistorin, monitorin valodiodin ja optisen eristimen korkealaatuisen lasersuorituskyvyn varmistamiseksi. Meillä on myös täysi asiakasvalikoima SM-kuitujen, PM-kuitujen ja muiden erikoiskuitujen lähtötehoista, pakkaustyypeistä ja lähtökuiduista, voimme myös mukauttaa aallonpituutta, se kattaa 1270 nm - 1650 nm.
BoxOptronics Erbium-ytterbium-seostettu kolminkertaisesti päällystetty yksimuotokuitua käytetään pääasiassa lasertutkassa, laseretäisyysmittauksessa, viestintävahvistuksessa ja muilla aloilla. Optisessa kuidussa käytetään pienen taitekertoimen fluorilla seostettua piidioksidia toisena päällystemateriaalina, jolla ei ole vain pieni liitoshäviö ja korkea valon valon muunnostehokkuus, vaan myös hyvä korkean lämpötilan kestävyys. Optinen kuitu voi säätää absorptiokerrointa ja saada spektrin hyvällä konsistenssilla.
Tämä 1610 nm:n 5 mW TO-CAN DFB -laserdiodi on tuote, joka toimii laajalla lämpötila-alueella alhaisella lämpötila-aallonpituuskertoimella. Se soveltuu hyvin sovelluksiin, kuten tietoliikennetutkimukseen, interferometriaan ja optiseen reflektometriaan etäisyyden mittaamiseen kuidussa tai vapaassa tilassa. Jokainen laite testataan ja palaa sisään. Tämä laser on pakattu 5,6 mm:n TO-purkkiin. Sen korkissa on integroitu asfäärinen tarkennuslinssi, jonka avulla tarkennuspiste ja numeerinen aukko (NA) voidaan sovittaa SMF-28e+ -kuituun.
200um InGaAs-lumivyöryvalodiodit APDs on suurin kaupallisesti saatavilla oleva InGaAs APD, jolla on korkea herkkyys ja erittäin nopea nousu- ja laskuaika koko 1100-1650nm aallonpituusalueella. Huippuvaste 1550nm soveltuu ihanteellisesti vapaan kantaman optisiin viestintäsovelluksiin, OTDR ja Optical Coherence Tomography.Siru on hermeettisesti suljettu modifioidussa TO-pakkauksessa, saatavilla on myös letkuvaihtoehto.
Copyright @ 2020 Shenzhen Box Optronics Technology Co., Ltd. - Kiina kuituoptiset moduulit, kuitukytkettyjen lasereiden valmistajat, laserkomponenttien toimittajat Kaikki oikeudet pidätetään.
