1064nm DFB laserdiodi Valmistajat

BoxOptronics 1060 nm 1480 nm polarisaatiosta riippumaton optinen eristin on kuitukytkentäinen polarisaatiosta riippumaton eristin, joka lähettää kaiken polarisoidun valon (ei vain tiettyyn suuntaan polarisoidun valon) tehokkaasti yhteen suuntaan, mutta estää läpäisyn vastakkaiseen suuntaan. käyttää suojaamaan heijastuksia vastaan, jotka voivat turmella joitakin mittauksia tai vahingoittaa lasereita ja vahvistimia. Tämä 1060 nm:n 1480 nm:n polarisaatiosta riippumaton optinen eristin voi olla yksi- tai kaksivaiheinen/kaksivaiheinen etenevän valon vaaditun optisen eristyksen asteesta riippuen.

1310nm DFB koaksiaalista laserdiodia TEC:llä käytetään yleensä valonlähteen stabilointiin tai modulointiin. Lisäksi korkean stabiilisuuden laserlähdettä voidaan käyttää laitteiden ja OTDR-laitteiden testaamiseen. Laserdiodi koostuu CWDM-DFB-sirun, sisäänrakennetun isolaattorin, sisäänrakennetun monitorin valodiodin ja TEC-jäähdyttimen sekä SC/APC,SC/PC,FC/APC,FC/PC-valokuituliittimestä. Asiakkaat voivat valita optisen kuidun pituuden ja nastamäärityksen todellisen kysynnän perusteella. Lähtöteho on saatavilla 1MW, 1270nm ~ 1610nm CWDM-aallonpituus saatavilla.

1653,7 nm:n 18 mW DFB TO-CAN -laserdiodi CH4-tunnistukseen tarjoaa luotettavan, vakaan aallonpituuden ja suuren tehon, kollimoivalla linssillä. Tämä yksittäinen pitkittäismuotoinen laser on suunniteltu erityisesti metaaniin (CH4) kohdistuviin kaasuntunnistussovelluksiin. Kapea viivanleveyslähtö parantaa sovelluksen suorituskykyä monissa käyttöolosuhteissa.

Tällä alhaisella kustannuksella C-kaista ASE-laajakaistainen valonlähteellä on C-kaistan aallonpituus, 5 ~ 7dB spektrin tasaisuus ja SM-kuitu ja kuidun havainnoinnissa.

808 nm 170 W High Power Fiber Coupled -diodilaser on korkea lähtöteho ja korkea kytkentätehokkuus alalla. Korkealla 170 W:n lähtöteholla 808 nm:n laserdiodi tarjoaa erittäin voimakkaan ja CW-laservalonlähteen laserpumppauksessa, lääketieteellisessä, materiaalinkäsittelyssä ja tulostuksessa jne. Saatavilla on räätälöityjä versioita ja eri kuiduille suunniteltuja järjestelmiä.

50um InGaAs Avalanche Photodiode Chip on valodiodi, jonka sisäinen vahvistus tuotetaan käänteisen jännitteen sovelluksella. Niillä on korkeampi signaali-kohinasuhde (SNR) kuin valodiodeissa, sekä nopea aikavaste, alhainen pimeävirta ja korkea herkkyys. Spektrivastealue on tyypillisesti välillä 900 - 1650 nm.