suuritehoinen pumppuyhdistin Valmistajat

976 nm 980 nm laserdiodi 400 mW pumppukuitukytkentäinen yksimuotoinen jäähdytetty 980 nm pumppulaserit tuottavat jopa 700 mW kuitukytkettyä tehoa. Moduulit on pakattu ainutlaatuisella, patentoitavalla teknologialla pysyvää kuidun kohdistusta varten. tarjosi ylivertaisen optisen ja sähköisen suorituskyvyn käyttöiän lopussa, mikä saavutettiin säilyttämällä erittäin vakaa, kaikkien akselien kohdistuslukko lasersirun ja yksimuotokuidun kärjen välillä. Hermeettisesti suljettu 14-nastainen perhospaketti on saatavana Bragg-kuituritilällä ja sisältää lämpösähköisen jäähdyttimen, termistorin ja monitorin valodiodin. Kuitu Bragg-ritilä lukitsee tarkasti keskiaallonpituuden laajennetulla teho- ja lämpötila-alueella. Keskiaallonpituuksia alueella 976 nm - 980 nm on saatavana tiukan aallonpituussäädön kanssa.

BoxOptronics Yksitaajuinen pulssi Erbium-seostettu kuituvahvistin EDFA on kuituvahvistin, joka on omistettu kapean viivanleveyden yksitaajuisille nanosekunnin pulsseille. Tulolaserpulssin spektrinen viivanleveys voi olla niinkin alhainen kuin KHz:n taso. Se voi saavuttaa korkean pulssienergian tuoton samalla kun se vaimentaa tehokkaasti epälineaariset pulssit. Lineaarinen efekti, yksimuoto tai polarisaatio ylläpitää kuitulähtöä. Voidaan käyttää hajautetussa sensorissa, Doppler-lidarissa ja muissa sovelluksissa.

830 nm:n 2 W:n kuitukytkentäinen diodilaser on suunniteltu tuottamaan volyymituotteita, joilla on korkea hyötysuhde, vakaus ja erinomainen säteen laatu. Tuotteet saadaan muuntamalla laserdiodisirun epäsymmetrinen säteily pieniydinhalkaisijaiseksi lähtökuiduksi käyttämällä erityistä mikrooptiikkaa. Tarkastus- ja polttoprosessit kaikin puolin johtavat tulokseen, joka takaa jokaisen tuotteen luotettavuuden, vakauden ja pitkän käyttöiän.

1 mm:n InGaAs/InP PIN -valodiodisiru tarjoaa erinomaisen vasteen 900 nm - 1700 nm, 1 mm InGaAs/InP PIN -valodiodisiru on ihanteellinen suuren kaistanleveyden 1310 nm ja 1550 nm optisiin verkkosovelluksiin. Laitesarja tarjoaa korkean herkkyyden, alhaisen tummavirran ja suuren kaistanleveyden korkean suorituskyvyn ja matalan herkkyyden vastaanottimen suunnitteluun. Tämä laite on ihanteellinen optisten vastaanottimien, transpondereiden, optisten lähetysmoduulien ja yhdistelmä-PIN-valodiodin – transimpedanssivahvistimen – valmistajille.

Erittäin kapea linjaleveys 3 khz 1550 nm kuitulasermoduuli

L-kaistainen erbium-seostettu kuitu on seostettu ja optimoitu L-kaistan yksikanavaisille ja monikanavaisille kuituvahvistimille, ASE-valonlähteille, pääkaupunkiseudun verkoille, CATV:lle ja EDFA:lle DWDM:ää varten. Korkea doping voi lyhentää erbiumkuidun pituutta, mikä vähentää kuidun epälineaarista vaikutusta. Kuitua voidaan pumpata aallonpituudella 980 nm tai 1480 nm, ja sen häviö on pieni ja johdonmukaisuus tiedonsiirtokuituliitäntöjen kanssa on hyvä.