1550nm DFB kuitukytketty butterfly-laserdiodi Valmistajat

830 nm:n 2 W:n kuitukytkentäinen diodilaser on suunniteltu tuottamaan volyymituotteita, joilla on korkea hyötysuhde, vakaus ja erinomainen säteen laatu. Tuotteet saadaan muuntamalla laserdiodisirun epäsymmetrinen säteily pieniydinhalkaisijaiseksi lähtökuiduksi käyttämällä erityistä mikrooptiikkaa. Tarkastus- ja polttoprosessit kaikin puolin johtavat tulokseen, joka takaa jokaisen tuotteen luotettavuuden, vakauden ja pitkän käyttöiän.

976nm 12W diodilaser-siru, lähtöteho 12W, pitkä käyttöikä, korkea hyötysuhde, käytetään laajalti teollisuuspumpuissa, laservalaistuksessa, T&K- ja muilla aloilla.

1310 nm 1550 nm DFB CWDM -laserlähdemoduuli käyttää DFB-puolijohdelasereita, yksimuotokuitulähtöä, säädettävää tehoa, ammattimaisesti suunniteltua erittäin tarkkaa, erittäin vakaata virrankäytön ohjauskorttia laserin turvallisuuden ja vakauden varmistamiseksi, hiljainen toiminta, alhainen hinta, korkea. kustannustehokkuus, pieni koko Kompakti ja helppo integroida, sitä käytetään laajalti tieteellisessä tutkimuksessa, viestinnässä, lääketieteellisessä hoidossa, spektrianalyysissä, biotekniikassa ja muilla aloilla.

Suorituskykyinen 1450 nm DFB Butterfly Laser Diode sisäänrakennettu sisäänrakennettu monitorivalodiodi, lämpösähköinen TEC-jäähdytin ja termistori, yksimuotoinen tai polarisaatiota ylläpitävä kuitunauha, aallonpituus/lämpötilakerroin 0,01 nm/℃.

Suuritehoiset C-kaistaiset 3 W 35 dBm Erbium-seostetut kuituvahvistimet EDFA (EYDFA-HP) perustuvat kaksinkertaiseen erbiumseostettuun kuituvahvistintekniikkaan, joka käyttää ainutlaatuista optista pakkausprosessia yhdistettynä luotettavaan, tehokkaaseen lasersuojaussuunnitteluun. , saavuttaa suuritehoinen lasertulos 1540-1565nm aallonpituusalueella. Suurella teholla ja alhaisella kohinalla sitä voidaan käyttää valokuituviestinnässä, Lidarissa jne.

1590 nm DFB Butterfly Laser Diodes 14-pin SM Fiber tai PM Fiber on kuitu yhdistettynä yksimuotoiseen optiseen kuituun. CW-lähtötehot ovat aallonpituudesta riippuvaisia ​​ja vaihtelevat 2–40 mW. Hajautettu takaisinkytkentäontelo tuottaa vain 0,1 nm:n viivanleveyden.